مشخصات فیزیکی وزن 8 گرم فرم فاکتور M.2 2280 نوع فلش V-NAND 2-bit MLC مشخصات فنی ظرفیت 512 گیگابایت نوع رابط M.2 PCIe Gen 3 x4 with NVM Express سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه سرعت خواندن اطلاعات تصادفی 370,000IOPS سرعت نوشتن اطلاعات تصادفی 500,000IOPS کنترل کننده Phoenix سایر مشخصات مقاومت در برابر لرزش مقاومت در برابر شوک میزان مقاومت شوک 1500G/0.5ms میانگین عمر - MTBF 1.500.000 ساعت قابلیت پشتیبانی از TRIM دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد سایر قابلیت ها قابلیت رمز گزاری 256 بیتی AES مزایا و معایب مزایا کیفیت ساخت و ماندگاری بالادارای حافظه V-NAND MLC رابط 2 بیتیقابلیت پشتیبانی از TRIM و S.M.A.R.Tدارای رابط پر سرعت PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.3سیستم هوشمند جمع آوری اطلاعات زائد (Garbage Collection)قابلیت کد گذاری 256 بیتی AES و پروتکلهای امنیتی TCG/Opalاستفاده از جدیدترین کنترلر (V-NAND Phoenix) و نسل جدید تکنولوژی TurboWriteبهره گیری از تکنولوژی پیشرفته V-NAND با افزایش 50 درصدی ظرفیت نوشتاری (TBW)