مشخصات فیزیکی ابعاد 1.5 * 22.1 * 80.3 میلیمتر وزن 45 گرم نوع فلش Samsung V-NAND مشخصات فنی ظرفیت 1 ترابایت نوع رابط SATA 6 Gb/s سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه سرعت خواندن اطلاعات تصادفی 97,000IOPS سرعت نوشتن اطلاعات تصادفی 89,000IOPS کنترل کننده Samsung MGX controller سایر مشخصات مقاومت در برابر ضربه مقاومت در مقابل خش مقاومت در برابر شوک میزان مقاومت شوک 1500G/0.5ms میانگین عمر - MTBF 1.500.000 ساعت قابلیت پشتیبانی از TRIM دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد مصرف برق 5 وات سازگار با سیستم عامل انواع سیستم عامل های رایج سایر قابلیت ها قابلیت رمز گزاری 256 بیتی AES مزایا و معایب مزایا مقاومت در برابر شوکدارای ظرفیت 1 ترابایتکیفیت ساخت و ماندگاری بالاقابلیت رمزگذاری 256 بیتی AESمجهز به کنترل کننده Samsung MGXقابلیت پشتیبانی از TRIM و S.M.A.R.Tسرعت بسیار زیاد انتقال اطلاعات با رابط SATA III