مشخصات فیزیکی ابعاد 80 * 24.3 * 8.2 mm (with heatsink) وزن 13 گرم فرم فاکتور M.2 2280 نوع فلش Samsung V-NAND 3-bit MLC مشخصات فنی ظرفیت 4 ترابایت نوع رابط PCIe Gen 4.0 x4 سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی 7450 مگابایت بر ثانیه سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی 6900 مگابایت بر ثانیه عملکرد Samsung in-house Controller سایر مشخصات مقاومت در برابر شوک میانگین زمان تا خرابی (MTBF) 1.500.000 ساعت قابلیت پشتیبانی از TRIM دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد سایر قابلیت ها مقاومت در برابر شوک 1500Gپشتیبانی از NVMeپشتیبانی از S.M.A.R.T مزایا و معایب مزایا دارای هیت سینک خنک کنندهسرعت خواندن: حداکثر تا 7450 مگابایت بر ثانیهسرعت نوشتن: حداکثر تا 6900 مگابایت بر ثانیهنوع فلش Samsung V-NAND 3-bit MLCطول عمر: 1.500.000 ساعت